Неверный логин или пароль
или войдите через:
×
На ваш почтовый ящик отправлены инструкции по восстановлению пароля
x
Новое на buxgalter.uzЕсли при инвентаризации обнаружены неучтенные ОС Должен ли продавец выставлять «минусовый» ЭСФ, если дает скидку по итогам месяца Как общепиту, туроператорам и гостиницам вернуть часть уплаченного в бюджет НДС

Развитием физики полупроводников и микроэлектроники займется новый НИИ

28.06.2018

Читать на русском языке


Это следует из постановления Кабинета Министров от 25.06. 2018 г. № 468 «О создании Научно-исследовательского института физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека».


 


 

От редакции: этот документ и 75 000 других нормативно-правовых актов с разъяснениями собраны в ИПС «Законодательство РУз». Скачайте демонстрационную версию здесь (32,1 МБ).



 

Создается новый институт



Лаборатории института оснастят современным научным оборудованием и обеспечат  расходными материалами и комплектующими. Ему  передадут  уникальный научный объект «Электростатический ускоритель ЭГ-2 СОКОЛ» для изучения влияния воздействия различных видов излучения на свойства полупроводниковых материалов и приборов на их основе.



В НИИ будет организован  Научный совет по присуждению ученой степени доктора философии (PhD) по специальности 01.04.10 - физика полупроводников.

Здесь же расположится научный журнал «Физика полупроводников и микроэлектроника» для опубликования результатов научно- исследовательских работ.

 

Чем будет заниматься НИИ

 

Основными задачами института определено:

  • участие в формировании приоритетных направлений и проведение фундаментальных и прикладных научных исследований, реализацию инновационных проектов в области физики полупроводников, полупроводниковой микроэлектроники, материаловедения, гелиофизики и альтернативных источников энергии, в том числе путем организации кластерной формы выполнения проектов научных исследований, а также анализ современных мировых тенденций развития отрасли физики полупроводников и микроэлектроники;
  • разработка технологий создания новых полупроводниковых материалов и исследование параметров многослойных структур на их основе, являющихся базовыми элементами микроэлектроники и фотоники;
  • создание современных полупроводниковых приборов различного функционального назначения со стабильными и воспроизводимыми параметрами, востребованных в высокотехнологичных сферах и отраслях экономики республики;
  • укрепление материально-технической базы Института современным учебным и научным лабораторным оборудованием, необходимым для проведения научных исследований и реализации инновационных проектов в области физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники;
  • разработка и осуществление мероприятий по взаимодействию высших образовательных учреждений, научно-исследовательских учреждений, органов хозяйственного управления, промышленных и других заинтересованных организаций, а также частного сектора, направленных на внедрение инноваций в области физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники;
  • обеспечение интеграции фундаментальной и прикладной науки с образовательным процессом на всех этапах, включая использование лабораторной базы для выполнения учебно-экспериментальных, лабораторных и курсовых работ, производственной и преддипломной практики;
  • повышение качества и уровня учебно-методической работы путем оказания содействия в создании новых учебных программ, учебников, учебных пособий соответствующих направлений образования бакалавриата и специальностей магистратуры;
  • установление и развитие международных связей, организацию разработки и выполнения совместных международных проектов в области физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники, а также проведения международных научных конференций и симпозиумов;
  • оказание научно-методического содействия в подготовке бакалавров и магистров, а также подготовку научно-педагогических кадров высшей квалификации путем организации обучения в институтах послевузовского образования на базе Института по соответствующим специальностям физики;
  • разработка наукоемких технологий и внедрение инновационных разработок в области физики полупроводников, микроэлектроники и фотоники в производство, а также коммерциализацию результатов научных исследований в соответствии с потребностями организаций и отраслей экономики республики.

 

Кроме того, на основе потребностей отраслей экономики будет разработана научно-техническая программа разработки инновационных технологий и создания новых полупроводниковых материалов в Научно-исследовательском институте физики.

 

Оплата труда сотрудников

 

На работников Института распространяются условия оплаты и материального стимулирования, установленные для соответствующих должностей научно-исследовательских учреждений Академии наук.

 

Участие в подготовке кадров

 

Начиная с 2019/2020 учебного года,  на базе лабораторий НИИ будут вестись занятия  для студентов 2-4 курсов бакалавриата направлений образования «Физика», «Методика преподавания физики и астрономии», «Биомедицинская физика» и соответствующих специальностей магистратуры высших образовательных учреждений республики. Здесь же студенты смогут проходить квалификационную практику для защиты выпускных квалификационных работ и магистерских диссертаций.

 

Адрес института

 

Институт будет располагаться по адресу: город Ташкент, Алмазарский район, ул. Янги Алмазар, 20. Сейчас там Алмазарский академический лицей при Ташкентском государственном институте востоковедения. Учащиеся лицея продолжат образовательный процесс в зданиях Института до окончания ими обучения.

 

Документ опубликован в Национальной базе данных законодательства и вступил в силу 27.06.2018 года.


 

                                                                                              Олег Гаевой.